HIKSEMI
All Products
Embedded Storage
SPI NAND
SPI NAND

Wbudowana funkcja ECC spełnia wymagania dotyczące wysokiej niezawodności i dużej pojemności pamięci.

  • Napięcie robocze: VCC = 2,7–3,6 V lub VCC = 1,7–1,95 V
  • Obsługuje interfejs QSPI
  • Okres przechowywania danych: 10 lat
Centrum pobierania
HIKSEMI_SPI_NAND_3.3v_1Gb_HSESYHDSW1G_DataSheet_V1.0_1.pdf
2025-09-26
HIKSEMI_SPI_NAND_3.3v_4Gb_HSESDFDSW4G_DataSheet_V1.0_1.pdf
2025-09-26
HIKSEMI_SPI_NAND_3.3v_2Gb_HSESYHDSW2G_DataSheet_V1.1.pdf
2025-09-26
HIKSEMI_SPI_NAND_1.8v_HSESYHCSW1G_DataSheet_V2.0.pdf
2025-09-26

Welcome to visit our website! So far, this website does not use any cookies.  Through this website you will learn about our products, company profile, mission and value, etc. 

Well noted
Contact Us
Contact Us